分辨率最高可達0.6 nm！國儀量子超高分辨場發(fā)射掃描電子顯微鏡SEM5000X

#NEWS超高分辨場發(fā)射電鏡發(fā)布

近日，國儀量子在2023全國電鏡年會期間發(fā)布了全新的超高分辨場發(fā)射掃描電子顯微鏡SEM5000X，分辨率達到了突破性的0.6 nm@15 kV和1.0 nm@1 kV，進一步夯實了國產(chǎn)高端電鏡發(fā)展的基礎。

深度挖掘用戶需求 全新升級實現(xiàn)超強性能
國儀量子在服務客戶時發(fā)現(xiàn)，傳統(tǒng)的場發(fā)射掃描電鏡在拍攝一些特殊樣品時會出現(xiàn)成像質量不佳的問題。例如，納米材料的導電性較差，樣品的粒徑通常也非常小，觀測難度較高。但隨著科研水平不斷進步，對材料的觀測尺度也將不斷縮小，觀測難度愈發(fā)提高。為解決這一難題，國儀量子顯微鏡研發(fā)團隊在調研用戶需求后，基于深厚的技術儲備與產(chǎn)品工程化能力，推出了“挑戰(zhàn)極限”的超高分辨場發(fā)射掃描電子顯微鏡SEM5000X。

SEM5000X如何“挑戰(zhàn)極限”？

極限挑戰(zhàn)一：挑戰(zhàn)超高分辨率

SEM5000X在15 kV下分辨率優(yōu)于0.6 nm，1 kV下分辨率優(yōu)于1 nm，成功挑戰(zhàn)了熱場發(fā)射掃描電鏡的極限分辨率。

國儀量子對SEM5000X電子光學系統(tǒng)中的物鏡部分做了特殊的改進優(yōu)化，電透鏡和磁透鏡的重合度進一步提高，使得色差減小了12%、球差減小了20%，整體上提升了電鏡的分辨率。

極限挑戰(zhàn)二：不懼高難樣品

在SEM5000X產(chǎn)品設計中，增加了樣品臺減速模塊，采用了高壓隧道和樣品臺減速的組合，實現(xiàn)雙減速技術，能夠挑戰(zhàn)極限樣品拍攝場景。

極限挑戰(zhàn)三：適應復雜環(huán)境

此外，我們自研了高精度的優(yōu)中心樣品臺，采用了超穩(wěn)定的機架，還額外設計了可屏蔽環(huán)境干擾的全包圍式屏蔽系統(tǒng)，使SEM5000X能夠輕松適應各種復雜環(huán)境。

產(chǎn)品優(yōu)勢
SEM5000X
01
超高分辨率成像，達到了突破性的0.6 nm@15 kV和1.0 nm@1 kV

02

樣品臺減速和高壓隧道技術組合的雙減速技術，挑戰(zhàn)極限樣品拍攝場景

03
高精度機械優(yōu)中心樣品臺、超穩(wěn)定性的機架減震設計，可搭配整體罩殼設計，極大減弱環(huán)境對極限分辨率的影響

04
最大支持8寸晶圓(最大直徑208 mm)的快速換樣倉，滿足半導體和科研應用需求

如果您需要一臺更高性能，更高分辨率的電鏡，那您一定不能錯過超高分辨場發(fā)射掃描電子顯微鏡SEM5000X。

應用案例展示

介孔二氧化硅/1 kV（Dul-Dec）/lnlens

陽極氧化鋁板/10 kV/Inlens

芯片/5 kV/BSED-COMP

腎臟切片/5 kV/BSED-COMP

泡沫鎳/2 kV/ETD-SE

藍寶石襯底/5 kV/ETD-SE

金顆粒/1 kV/Inlens

光刻膠/2 kV/ETD-SE

磁性粉末/10 kV/Inlens

二氧化硅球/3 kV/ETD-SE

催化劑/1 kV/ETD-SE

波導/1 kV/ETD-SE